NE8500295-4

NE8500295-4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE8500295-4
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия 2W C Band MESFET
Производитель: NEC/CEL
Спецификация: 5415726.pdf
Детальное описание компонента NE8500295-4
Тип технологии MESFET Частота 3.5 GHz to 4.5 GHz
Усиление 10.5 dB Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 600 mS
Напряжение сток-исток (VDS) 15 V Напряжение пробоя затвор-исток - 12 V
Непрерывный ток стока 1.9 A Максимальная рабочая температура + 175 C
Рассеяние мощности 13 W Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CHIP P1dB 33.8 dBm
Упаковка Bulk

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NET2272RDK-II NET2272RDK-II PLX Technology Interface Development Tools NET2272 PCI KIT 9720466.pdf
CR240 CR240 Vishay/Siliconix Диоды для стабилизации тока 2.4mA +/- 10% ---
IXST15N120B IXST15N120B Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.4 Rds 9341776.pdf
SN74LV4040ADR SN74LV4040ADR Texas Instruments ИС, счетчики 12-Bit ASynch Binary Counter 4924530.pdf
G3MC-202P-VD DC5 G3MC-202P-VD DC5 --- Оптопары и оптроны ---