NE8500295-6

NE8500295-6
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE8500295-6
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия 2W C Band MESFET
Производитель: NEC/CEL
Спецификация: 5415095.pdf
Детальное описание компонента NE8500295-6
Тип технологии MESFET Частота 5.5 GHz to 6.5 GHz
Усиление 9.5 dB Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 600 mS
Напряжение сток-исток (VDS) 15 V Напряжение пробоя затвор-исток - 12 V
Непрерывный ток стока 1.9 A Максимальная рабочая температура + 175 C
Рассеяние мощности 13 W Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок CHIP P1dB 33.8 dBm
Упаковка Bulk

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADC121C02XEB/NOPB ADC121C02XEB/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADC121C021/027 EVAL BOARD 9623384.pdf
R2LC-3.0-WHT R2LC-3.0-WHT --- Светодиодная индикация ---
C4SMF-BJF-CS24Q4T1 C4SMF-BJF-CS24Q4T1 --- Светодиодная индикация ---
3352-A-36 3352-A-36 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
8452 010500 8452 010500 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---