NE425S01-T1B
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | NE425S01-T1B | ||
Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Lo Noise HJFET | ||
Производитель: | NEC/CEL | ||
Спецификация: | 5414026.pdf | ||
Детальное описание компонента NE425S01-T1B | |||
Тип технологии | HEMT | Частота | 12 GHz |
---|---|---|---|
Усиление | 12 dB | Шумовая диаграмма | 0.6 dB |
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 60 mS | Напряжение сток-исток (VDS) | 4 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V | Непрерывный ток стока | 90 mA |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Рассеяние мощности | 165 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | S0-1 |
Упаковка | Reel | Размер фабричной упаковки | 4000 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
SMMBD7000LT1G | ON Semiconductor | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DL SWITCHING DIODE | --- |
|
||
LAN83C185-JD | SMSC | ИС управления телекоммуникационными линиями Lo Pwr 10/100 3.3V PHY | 9206720.pdf |
|
||
507-3836-1531-600F | Dialight | Лампы NEON DATALITE | --- |
|
||
NLX1G11CMX1TCG | ON Semiconductor | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3 INPUT NAND GATE | --- |
|
||
SSTV16859DGG-T | NXP Semiconductors | Регистры 2.5V 13-26BIT SSTL 3 REG BUFR | 4341583.pdf |
|