NE651R479A-EVPW35

NE651R479A-EVPW35
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE651R479A-EVPW35
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz
Производитель: CEL
Спецификация: 5413447.pdf
Детальное описание компонента NE651R479A-EVPW35
Тип технологии HEMT Частота 1.9 GHz
Усиление 12 dB Напряжение сток-исток (VDS) 8 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 4 V Непрерывный ток стока 1 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 2.5 W
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок 79A
P1dB 27 dBm

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MC100EL51DT MC100EL51DT ON Semiconductor Триггеры 5V ECL Diff Clock ---
PCA9500PW,112 PCA9500PW,112 NXP Semiconductors Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы I/O EXPANDER W/2K EE 4902134.pdf
KA7806AE KA7806AE --- Схемы управления питанием ---
135-102DAF-J10 135-102DAF-J10 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
73765 73765 --- Антистатический контроль ---