NE6510179A-EVPW35
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | NE6510179A-EVPW35 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz | ||
| Производитель: | CEL | ||
| Спецификация: | 5413265.pdf | ||
| Детальное описание компонента NE6510179A-EVPW35 | |||
| Тип технологии | HEMT | Частота | 1.9 GHz |
|---|---|---|---|
| Усиление | 10 dB | Напряжение сток-исток (VDS) | 8 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | - 4 V | Непрерывный ток стока | 2.8 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Рассеяние мощности | 15 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | 79A |
| P1dB | 35 dBm | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74AHCT1G86GW,165 | NXP Semiconductors | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-INPUT EX-OR GATE | 8393504.pdf |
|
|
 |
74ALVCH16373ZRDR | Texas Instruments | Защелки 16B Trans D-Type Latch | 2720764.pdf |
|
|
 |
DS1250Y-70+ | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AS7C34098A-10JINTR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
DG507AAZ/883B | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|