NE6500496
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | NE6500496 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия L&S Band GaAs MESFET | ||
| Производитель: | CEL | ||
| Спецификация: | 5412223.pdf | ||
| Детальное описание компонента NE6500496 | |||
| Тип технологии | MESFET | Частота | 2.3 GHz |
|---|---|---|---|
| Усиление | 11.5 dB | Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 1.3 S |
| Напряжение сток-исток (VDS) | 15 V | Напряжение пробоя затвор-исток | - 12 V |
| Непрерывный ток стока | 3.5 A | Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Рассеяние мощности | 25 W | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | Outline96 | P1dB | 36 dBm |
| Упаковка | Bulk | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SN74LS08NSR | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Input Positive-AND Gates | 7944407.pdf |
|
|
 |
MAX2320EUP | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
CBT3306D-T | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
BLM18EG391TN1D | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|
|
|
|
DEA205425BT-1209B2 | --- | Формирование сигнала | --- |
|