NE6510179A-EVPW19

NE6510179A-EVPW19
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE6510179A-EVPW19
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz
Производитель: CEL
Спецификация: 5411858.pdf
Детальное описание компонента NE6510179A-EVPW19
Тип технологии HEMT Частота 1.9 GHz
Усиление 10 dB Напряжение сток-исток (VDS) 8 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 4 V Непрерывный ток стока 2.8 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 15 W
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок 79A
P1dB 35 dBm

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP2811AFCT1G NCP2811AFCT1G ON Semiconductor Усилители звука HEADSET AUDIO AMPLIFIER ---
MAX5762UCB MAX5762UCB Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3448824.pdf
106171-2400 106171-2400 Molex Волоконно-оптические соединители BSC-2 AD W/SHIELD MT SHIELD MTL SLV BLACK 6072336.pdf
NCP1217D133R2 NCP1217D133R2 --- Схемы управления питанием ---
ORT82G5-2FN680I1 ORT82G5-2FN680I1 --- Программируемые логические интегральные схемы ---