NE6510179A-EVPW19

NE6510179A-EVPW19
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE6510179A-EVPW19
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz
Производитель: CEL
Спецификация: 5411858.pdf
Детальное описание компонента NE6510179A-EVPW19
Тип технологии HEMT Частота 1.9 GHz
Усиление 10 dB Напряжение сток-исток (VDS) 8 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 4 V Непрерывный ток стока 2.8 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 15 W
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок 79A
P1dB 35 dBm

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74ACQ573PC_Q 74ACQ573PC_Q Fairchild Semiconductor Защелки Octal Latch 3396199.pdf
5053-36-0 5053-36-0 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
RSHN-2020D RSHN-2020D --- Фильтры цепи питания ---
B84143A8R B84143A8R --- Фильтры цепи питания ---
L16TF26P1N1 L16TF26P1N1 --- Аудио и видео разъемы ---