NE350184C-T1

NE350184C-T1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE350184C-T1
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Low Noise HJ FET
Производитель: CEL
Спецификация: 5411690.pdf
Детальное описание компонента NE350184C-T1
Тип технологии HEMT Частота 20 GHz
Усиление 13.5 dB Шумовая диаграмма 0.7 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 40 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 70 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок Micro-X Ceramic (84 C)
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 5000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
X0203MA 2BL2 X0203MA 2BL2 STMicroelectronics Комплектные тиристорные устройства (SCR) 1.25A SENSITIVE GATE Комплектные тиристорные устройства (SCR) ---
74ABT162841DGGRG4 74ABT162841DGGRG4 Texas Instruments Защелки 20B Bus-Interface D- Type Защелки 2768257.pdf
BD46442G-TR BD46442G-TR --- Схемы управления питанием ---
204EGW 204EGW --- Светодиодная индикация ---
7273 7273 --- Испытательные соединители ---