NE350184C-T1

NE350184C-T1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE350184C-T1
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Low Noise HJ FET
Производитель: CEL
Спецификация: 5411690.pdf
Детальное описание компонента NE350184C-T1
Тип технологии HEMT Частота 20 GHz
Усиление 13.5 dB Шумовая диаграмма 0.7 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 40 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 70 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок Micro-X Ceramic (84 C)
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 5000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LK204-25-422-R LK204-25-422-R Matrix Orbital Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие 20x4 Red Txt Blk B/G 25 key LCD 5313076.pdf
2N5245_J35Z 2N5245_J35Z Fairchild Semiconductor JFET 30V JFET NCHL 6V OFF 9366528.pdf
MAX5203AEUB-T MAX5203AEUB-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3993718.pdf
SN74HCT02NSRE4 SN74HCT02NSRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Inputs Positive-NOR Gate 8161946.pdf
AT17LV020A-10JI AT17LV020A-10JI --- Микросхемы памяти ---