NE350184C-T1A

NE350184C-T1A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE350184C-T1A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Low Noise HJ FET
Производитель: CEL
Спецификация: 5410902.pdf
Детальное описание компонента NE350184C-T1A
Тип технологии HEMT Частота 20 GHz
Усиление 13.5 dB Шумовая диаграмма 0.7 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 40 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 70 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок Micro-X Ceramic (84 C)
Упаковка Reel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CMKD2838 CMKD2838 Central Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Dual Pair Common Cathode High Speed 3613562.pdf
74LV4053D,118 74LV4053D,118 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры TRIPLE 2-CHANNEL 2900993.pdf
SN74AHCT573N SN74AHCT573N Texas Instruments Защелки Tri-St Octal D-Type 1744356.pdf
CAT25C08VI CAT25C08VI --- Микросхемы памяти ---
UC2843ANG4 UC2843ANG4 --- Схемы управления питанием ---