NE850R599A

NE850R599A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE850R599A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия 0.5W C-Band MESFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5410152.pdf
Детальное описание компонента NE850R599A
Тип технологии MESFET Частота 7.2 GHz
Усиление 9.5 dB Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 150 mS
Напряжение сток-исток (VDS) 15 V Напряжение пробоя затвор-исток - 12 V
Непрерывный ток стока 430 mA Максимальная рабочая температура + 130 C
Рассеяние мощности 3 W Вид монтажа Screw
Упаковка / блок Outline99 P1dB 26.5 dBm
Упаковка Bulk

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-FD25A21A0064GR-SJM AP-FD25A21A0064GR-SJM Apacer Твердотельные накопители (SSD) AFD3 253-M ATA FLASH DRIVE MLC 64GB STD ---
DAC7545KU DAC7545KU Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) CMOS 12-Bit Multiplying 2814095.pdf
RPM882-H12E4 RPM882-H12E4 ROHM Semiconductor Инфракрасные трансиверы IRDA INFRARED COMMUNICATIONS 6265482.pdf
KA7810TU KA7810TU --- Схемы управления питанием ---
HLMP1719C4R0 HLMP1719C4R0 --- Светодиодная индикация ---