NE6510179A
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | NE6510179A | ||
Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия L&S Band GaAs HJFET | ||
Производитель: | NEC/CEL | ||
Спецификация: | 5409555.pdf | ||
Детальное описание компонента NE6510179A | |||
Тип технологии | HEMT | Частота | 1.9 GHz |
---|---|---|---|
Усиление | 10 dB | Напряжение сток-исток (VDS) | 8 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | - 4 V | Непрерывный ток стока | 2.8 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Рассеяние мощности | 15 W |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | 79A |
P1dB | 35 dBm |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MAX9724BETC+G126 | Maxim Integrated Products | Усилители звука Low RF Susceptibility DirectDrive Stereo Headphone Amplifier with 1.8V Compatible Shutdown | --- |
|
||
dsPIC33FJ16GS404T-E/TL | Microchip Technology | Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16Bit MCU/DSP 40MIPS 16 KB FLASH SMPS | 5948181.pdf |
|
||
YQS5925PTO | --- | Термисторы – положительный температурный коэффициент | --- |
|
||
G3M-205PL-4 DC24 | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
||
XBDAWT-00-0000-00000LCE4 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|