NE6510179A

NE6510179A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE6510179A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L&S Band GaAs HJFET
Производитель: NEC/CEL
Спецификация: 5409555.pdf
Детальное описание компонента NE6510179A
Тип технологии HEMT Частота 1.9 GHz
Усиление 10 dB Напряжение сток-исток (VDS) 8 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 4 V Непрерывный ток стока 2.8 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 15 W
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок 79A
P1dB 35 dBm

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9724BETC+G126 MAX9724BETC+G126 Maxim Integrated Products Усилители звука Low RF Susceptibility DirectDrive Stereo Headphone Amplifier with 1.8V Compatible Shutdown ---
dsPIC33FJ16GS404T-E/TL dsPIC33FJ16GS404T-E/TL Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16Bit MCU/DSP 40MIPS 16 KB FLASH SMPS 5948181.pdf
YQS5925PTO YQS5925PTO --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
G3M-205PL-4 DC24 G3M-205PL-4 DC24 --- Оптопары и оптроны ---
XBDAWT-00-0000-00000LCE4 XBDAWT-00-0000-00000LCE4 --- Светодиоды высокой мощности ---