NE722S01-T1B

NE722S01-T1B
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE722S01-T1B
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия C-X Band GaAs MESFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5409390.pdf
Детальное описание компонента NE722S01-T1B
Тип технологии MESFET Частота 4 GHz
Усиление 12 dB Шумовая диаграмма 0.9 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 45 mS Напряжение сток-исток (VDS) 5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 5 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SO-1
P1dB 15 dBm Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 4000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SI9139DG-3325 SI9139DG-3325 --- Схемы управления питанием ---
TL1431AIZ TL1431AIZ --- Схемы управления питанием ---
Q16F1CXXG12E Q16F1CXXG12E --- Светодиодная индикация ---
P22-4F-M P22-4F-M --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---
030-7161-0 030-7161-0 --- Трансформаторы ---