NE722S01

NE722S01
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE722S01
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия C-X Band GaAs MESFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5408928.pdf
Детальное описание компонента NE722S01
Тип технологии MESFET Частота 4 GHz
Усиление 12 dB Шумовая диаграмма 0.9 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 45 mS Напряжение сток-исток (VDS) 5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 5 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SO-1
P1dB 15 dBm

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STM3220G-JAVA STM3220G-JAVA STMicroelectronics Макетные платы и комплекты - ARM STM32 F2 Java Kit 3.2 TFT LIS302DL 9755752.pdf
MAX512CSD MAX512CSD Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3683499.pdf
UC2577TDKTTT-ADJ UC2577TDKTTT-ADJ --- Схемы управления питанием ---
TC4424VPA TC4424VPA --- Схемы управления питанием ---
MTGEZW-01-0000-0B00F035F MTGEZW-01-0000-0B00F035F --- Светодиоды высокой мощности ---