NE350184C-A

NE350184C-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE350184C-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Low Noise HJ FET
Производитель: NEC/CEL
Спецификация: 5408255.pdf
Детальное описание компонента NE350184C-A
Тип технологии HEMT Частота 20 GHz
Усиление 13.5 dB Шумовая диаграмма 0.7 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 40 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 70 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок Micro-X Ceramic (84 C)
Упаковка Tube

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DM164123 DM164123 Microchip Technology Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC PICDEM Sys Mgmt Board 9224221.pdf
IS42S32200E-7B-TR IS42S32200E-7B-TR --- Микросхемы памяти ---
AT29BV010A-15JC AT29BV010A-15JC --- Микросхемы памяти ---
PEEL18CV8SI-7L PEEL18CV8SI-7L --- Программируемые логические интегральные схемы ---
SN74CBTS3306DG4 SN74CBTS3306DG4 --- Коммутационные микросхемы ---