NE334S01-T1

NE334S01-T1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE334S01-T1
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Low Noise HJ FET
Производитель: NEC/CEL
Спецификация: 5407702.pdf
Детальное описание компонента NE334S01-T1
Тип технологии HEMT Частота 4 GHz
Усиление 16 dB Шумовая диаграмма 0.25 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 85 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 150 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SO-1
Упаковка Reel Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si3056DC1-EVB Si3056DC1-EVB Silicon Labs Дочерние и отладочные платы Global DAA Daughter Card Only 9753334.pdf
IRKT71/08P IRKT71/08P Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 800 Volt 75 Amp ---
MAX3873EVKIT MAX3873EVKIT Maxim Integrated Products Таймеры и сопутствующая продукция Evaluation Kit for the MAX3873 ---
LM4050BEM3-2.5-T LM4050BEM3-2.5-T --- Схемы управления питанием ---
3B50UM 3B50UM --- Автоматические выключатели ---