CFY67-08 (P)

CFY67-08 (P)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: CFY67-08 (P)
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента CFY67-08 (P)
Тип технологии pHEMT Частота 12 GHz
Усиление 11.5 dB Шумовая диаграмма 0.7 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 65 mS Напряжение сток-исток (VDS) 3.5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V to 0.5 V Непрерывный ток стока 60 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок Micro-X
Конфигурация Single Dual Source P1dB 11 dBm
Другие названия товара № CFY6708PNZ CFY6708PZZZA1, SP000011453,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GB10RF60K GB10RF60K Vishay Semiconductors Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 20 Amp 600 Volt Non-Punch Through ---
NC7SZ32P5 NC7SZ32P5 Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) UHS 2-Input OR Gate 8095974.pdf
CY14E256L-SZ45XI CY14E256L-SZ45XI --- Микросхемы памяти ---
SP6203ER-L-1-8 SP6203ER-L-1-8 --- Схемы управления питанием ---
MAX4541EUA+ MAX4541EUA+ --- Коммутационные микросхемы ---