NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3508M04-T2-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5405506.pdf
Детальное описание компонента NE3508M04-T2-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 14 dB Шумовая диаграмма 0.45 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 100 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 175 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
P1dB 18 dBm Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000 Полярность транзистора N-Channel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DM320013 DM320013 Microchip Technology Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC MPLAB Starter Kit for PIC32MX1XX/2XX ---
MX7524UQ/883B MX7524UQ/883B Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3821101.pdf
CC1070-RTY1 CC1070-RTY1 --- RF Semiconductors ---
TUA 6036 T TUA 6036 T --- RF Semiconductors ---
MAX4527EUA-T MAX4527EUA-T --- Коммутационные микросхемы ---