NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3508M04-T2-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5405506.pdf
Детальное описание компонента NE3508M04-T2-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 14 dB Шумовая диаграмма 0.45 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 100 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 175 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
P1dB 18 dBm Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000 Полярность транзистора N-Channel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PG164101 PG164101 Microchip Technology Программаторы - универсальные и на базе памяти - ---
MAX19711ETN MAX19711ETN Maxim Integrated Products Многоканальные аналого-цифровые (ADC) / цифро-аналоговые (DAC) преобразователи 343597.pdf
MCP4142-103E/MF MCP4142-103E/MF Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Digital Pot 128 step SPI Sngl Ch 5046045.pdf
SP331CT-L/TR SP331CT-L/TR Exar ИС, интерфейс RS-232 Programmable RS-232/RS-485 5551281.pdf
568-0004-811F 568-0004-811F --- Светодиодная индикация ---