NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3508M04-T2-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5405506.pdf
Детальное описание компонента NE3508M04-T2-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 14 dB Шумовая диаграмма 0.45 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 100 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 175 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
P1dB 18 dBm Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000 Полярность транзистора N-Channel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS21E354 DS21E354 Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры ---
74ABT573CMSA_Q 74ABT573CMSA_Q Fairchild Semiconductor Защелки Octal D-Type Latch ---
dsPIC33FJ32GS606-I/MR dsPIC33FJ32GS606-I/MR Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16 Bit MCU/DSP 40MIPS 32KB FLASH ---
MAX325EPA MAX325EPA --- Коммутационные микросхемы ---
EEV-TB1V330P EEV-TB1V330P --- Конденсаторы ---