NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3515S02-T1D-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic
Производитель: CEL
Спецификация: 5405344.pdf
Детальное описание компонента NE3515S02-T1D-A
Тип технологии HEMT Частота 12 GHz
Усиление 12.5 dB Шумовая диаграмма 0.3 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 70 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 88 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок S0-2
P1dB 14 dBm Упаковка Reel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
USBMLCF USBMLCF Freescale Semiconductor Программаторы - на базе процессоров P&E USB BDM INTRFCE MC ---
74ABT377CSJ 74ABT377CSJ Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D-Type Flip-Flop ---
74LVX00MTCX_NL 74LVX00MTCX_NL Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) FINISHED GOOD 8694322.pdf
24C02CT-E/SNG 24C02CT-E/SNG --- Микросхемы памяти ---
SSL-LX50593SRT SSL-LX50593SRT --- Светодиодная индикация ---