TGF2961-SD-T/R
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | TGF2961-SD-T/R | ||
| Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия DC-4Hz 1 Watt HFET | ||
| Производитель: | TriQuint Semiconductor | ||
| Спецификация: | 5403031.pdf | ||
| Детальное описание компонента TGF2961-SD-T/R | |||
| Тип технологии | HEMT | Частота | 4 GHz |
|---|---|---|---|
| Усиление | 15 dB at 2.1 GHz | Шумовая диаграмма | 4.3 dB |
| Напряжение сток-исток (VDS) | 8 V | Напряжение пробоя затвор-исток | - 1 V |
| Непрерывный ток стока | 260 mA | Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Рассеяние мощности | 2.7 W | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT89 | P1dB | 30 dBm |
| Упаковка | Reel | Другие названия товара № | 1061560 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MAX16806ATP+T | Maxim Integrated Products | LED Drivers EEPROM-Prog 350mA w/Current Foldback | 4474966.pdf |
|
|
|
|
FS100R17PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100A | --- |
|
|
 |
PTFA191001E V4 R250 | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz | --- |
|
|
|
|
MAX9250ETM-T | Maxim Integrated Products | ИС интерфейса LVDS | 4868004.pdf |
|
|
 |
XR16L788CQ-F | Exar | ИС, интерфейс UART 2.97V-5.5V 64B FIFO temp 0C to 70C | 6136159.pdf6136166.pdf |
|