NE651R479A-A

NE651R479A-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE651R479A-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L&S Band GaAs HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5398408.pdf5398409.pdf
Детальное описание компонента NE651R479A-A
Тип технологии HEMT Частота 1.9 GHz
Усиление 12 dB Напряжение сток-исток (VDS) 8 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 4 V Непрерывный ток стока 1 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 2.5 W
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок 79A
P1dB 27 dBm Упаковка Bulk

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
569-0203-333F 569-0203-333F --- Светодиодная индикация ---
UC3865DWTRG4 UC3865DWTRG4 --- Схемы управления питанием ---
FN685-10-03 FN685-10-03 --- Фильтры цепи питания ---
1735820 1735820 --- Клеммные колодки ---
LC-7 LC-7 --- Принтеры ---