NE3503M04-A

NE3503M04-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3503M04-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Low Noise HJ FET
Производитель: CEL
Спецификация: 5396907.pdf
Детальное описание компонента NE3503M04-A
Тип технологии HEMT Частота 12 GHz
Усиление 12 dB Шумовая диаграмма 0.45 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 55 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 70 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 125 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
Напряжение отсечки затвор-исток - 0.7 V Упаковка Reel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9503GETE MAX9503GETE Maxim Integrated Products Видеоусилители 2627047.pdf
IS24C02-3ZL IS24C02-3ZL --- Микросхемы памяти ---
LM2575M-ADJ/NOPB LM2575M-ADJ/NOPB --- Схемы управления питанием ---
UPC2748TB-E3-A UPC2748TB-E3-A --- RF Semiconductors ---
LB Y87S-M1N2-35-Z LB Y87S-M1N2-35-Z --- Светодиодная индикация ---