NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3512S02-T1C-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
Производитель: CEL
Спецификация: 5396486.pdf
Детальное описание компонента NE3512S02-T1C-A
Тип технологии HEMT Частота 12 GHz
Усиление 13.5 dB Шумовая диаграмма 0.35 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 55 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 70 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок S0-2
Упаковка Tape

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3766EEP+ MAX3766EEP+ Maxim Integrated Products Аппаратный драйвер лазера 622Mbps LAN/WAN 5530563.pdf
SN74ALS151NSRG4 SN74ALS151NSRG4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 1 of 8 Data SELECTR Mltplxrs 3487270.pdf
910-660 910-660 --- Светодиодная индикация ---
140-500N5-820J-RC 140-500N5-820J-RC --- Конденсаторы ---
S-0-UT-2.2-G S/C S-0-UT-2.2-G S/C --- Комплектующие для испытательного оборудования ---