NE3508M04-A

NE3508M04-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3508M04-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5396192.pdf5396193.pdf
Детальное описание компонента NE3508M04-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 14 dB Шумовая диаграмма 0.45 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 100 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 175 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
P1dB 18 dBm Упаковка Reel
Полярность транзистора N-Channel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADS-BCCD1202 ADS-BCCD1202 Murata Power Solutions Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных Evaluation Board ---
DDRCT-GEN-O4-N1 DDRCT-GEN-O4-N1 Lattice Программное обеспечение для разработки DDR SDRAM Controller Pipelind User Config ---
5606947 5606947 Phoenix Contact Антенны RAD-SOL-BAT-12-84 ---
MAX630MJA/HR MAX630MJA/HR --- Схемы управления питанием ---
NJG1507R-TE1 NJG1507R-TE1 --- Коммутационные микросхемы ---