NE3508M04-A

NE3508M04-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3508M04-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5396192.pdf5396193.pdf
Детальное описание компонента NE3508M04-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 14 dB Шумовая диаграмма 0.45 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 100 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 175 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
P1dB 18 dBm Упаковка Reel
Полярность транзистора N-Channel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series 9306055.pdf
VHF55-08io7 VHF55-08io7 Ixys Модули КТУ (SCR) 55 Amps 800V 137257.pdf
MAX260ACWG MAX260ACWG Maxim Integrated Products Активный фильтр 9285367.pdf
MAX5443AEUA+T MAX5443AEUA+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Precision DAC 2544810.pdf
PT4662A PT4662A --- Схемы управления питанием ---