NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3515S02-T1C-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic
Производитель: CEL
Спецификация: 5395699.pdf
Детальное описание компонента NE3515S02-T1C-A
Тип технологии HEMT Частота 12 GHz
Усиление 12.5 dB Шумовая диаграмма 0.3 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 70 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 88 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок S0-2
P1dB 14 dBm Упаковка Reel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPG100004 TPG100004 Microchip Technology Программаторы - на базе процессоров SoftLog ICP2GANG-DP ICSP 4-CH GANG PG ---
CY7C1412BV18-167BZXI CY7C1412BV18-167BZXI --- Микросхемы памяти ---
MAX6431FGUS+T MAX6431FGUS+T --- Схемы управления питанием ---
MAX16999AUA25+ MAX16999AUA25+ --- Схемы управления питанием ---
414JH 414JH --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---