NE3515S02-T1C-A
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | NE3515S02-T1C-A | ||
Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic | ||
Производитель: | CEL | ||
Спецификация: | 5395699.pdf | ||
Детальное описание компонента NE3515S02-T1C-A | |||
Тип технологии | HEMT | Частота | 12 GHz |
---|---|---|---|
Усиление | 12.5 dB | Шумовая диаграмма | 0.3 dB |
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 70 mS | Напряжение сток-исток (VDS) | 4 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V | Непрерывный ток стока | 88 mA |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Рассеяние мощности | 165 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | S0-2 |
P1dB | 14 dBm | Упаковка | Reel |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
TPG100004 | Microchip Technology | Программаторы - на базе процессоров SoftLog ICP2GANG-DP ICSP 4-CH GANG PG | --- |
|
||
CY7C1412BV18-167BZXI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MAX6431FGUS+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MAX16999AUA25+ | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
414JH | --- | Вентиляторы и нагнетатели воздуха | --- |
|