NE3512S02-A

NE3512S02-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3512S02-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
Производитель: CEL
Спецификация: 5395445.pdf
Детальное описание компонента NE3512S02-A
Тип технологии HEMT Частота 12 GHz
Усиление 13.5 dB Шумовая диаграмма 0.35 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 55 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 70 mA
Максимальная рабочая температура + 125 C Рассеяние мощности 165 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок S0-2
Напряжение отсечки затвор-исток 4 V

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NSB8MT/81 NSB8MT/81 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM 3971002.pdf
RGP20DHE3/73 RGP20DHE3/73 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 200 Volt 2.0A 150ns 80 Amp IFSM 4013580.pdf
P3002AALRP P3002AALRP Littelfuse Сидаки 50A 140/280V 182502.pdf
WM8718GEFL/RV WM8718GEFL/RV Wolfson Microelectronics ИС ЦАП для аудиосигналов Stereo DAC Differential O/P 5913781.pdf
MAX3243EEAI+C9V MAX3243EEAI+C9V Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 +/-15kV ESD-Protected 1uA 3.0V to 5.5V 250kbps RS-232 Transceivers with AutoShutdown ---