NE3509M04-T2-A
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | NE3509M04-T2-A | ||
Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | ||
Производитель: | CEL | ||
Спецификация: | 5395201.pdf | ||
Детальное описание компонента NE3509M04-T2-A | |||
Тип технологии | HEMT | Частота | 2 GHz |
---|---|---|---|
Усиление | 17.5 dB | Шумовая диаграмма | 0.4 dB |
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 80 mS | Напряжение сток-исток (VDS) | 4 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V | Непрерывный ток стока | 60 mA |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Рассеяние мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | FTSMM-4 (M04) |
P1dB | 11 dBm | Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
E-TDA7590TR | STMicroelectronics | Цифровые процессоры звукового сигнала Digital signal IC speech and audio | 5954169.pdf |
|
||
25LC256T-E/MF | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
FM24VR05-G2 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MAX735CSA-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
3186EE182T040APA1 | --- | Конденсаторы | --- |
|