NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3509M04-T2-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5395201.pdf
Детальное описание компонента NE3509M04-T2-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 17.5 dB Шумовая диаграмма 0.4 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 80 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 60 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
P1dB 11 dBm Упаковка Reel
Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
E-TDA7590TR E-TDA7590TR STMicroelectronics Цифровые процессоры звукового сигнала Digital signal IC speech and audio 5954169.pdf
25LC256T-E/MF 25LC256T-E/MF --- Микросхемы памяти ---
FM24VR05-G2 FM24VR05-G2 --- Микросхемы памяти ---
MAX735CSA-T MAX735CSA-T --- Схемы управления питанием ---
3186EE182T040APA1 3186EE182T040APA1 --- Конденсаторы ---