NE681M13-A
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | NE681M13-A | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Lo Noise Hi Gain | ||
| Производитель: | CEL | ||
| Спецификация: | 5393107.pdf | ||
| Детальное описание компонента NE681M13-A | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.5 V | Непрерывный коллекторный ток | 0.065 A |
| Рассеяние мощности | 140 mW | Упаковка / блок | M13 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 | Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 145 |
| Вид монтажа | SMD/SMT | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAV16WS-13-F | Diodes Inc. | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100V Vrrm 71V Vr 300mA IFM 150mA IO | 3763260.pdf |
|
|
|
|
EFG18F | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули MODULE SCR/DIODE 140A 480VAC | 4468736.pdf |
|
|
 |
THS6022CPWPR | Texas Instruments | Быстродействующие операционные усилители 250-mA Dual Diff Line Driver | 677061.pdf |
|
|
|
|
IS42S32160B-7TLI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AS6C1616A-55BINTR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|