BFP 540ESD E6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BFP 540ESD E6327 | ||
| Описание: | РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала IC DSCRT NPN SILICON | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BFP 540ESD E6327 | |||
| Конфигурация | Single Dual Emitter | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Максимальная рабочая частота | 30000 MHz | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1 V | Рассеяние мощности | 250 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | SOT-343 |
| Упаковка | Reel | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 20 mA at 3.5 V |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | Другие названия товара № | BFP540ESDE6327XT |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Z8932102ZEM | ZiLOG | Эмуляторы / Симуляторы DSP Emulator/ Eval Board | 460571.pdf |
|
|
|
|
F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 150A | --- |
|
|
 |
DDTB133HU-7 | Diodes Inc. | Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 3.W 10KW | 9565341.pdf |
|
|
|
|
HV9120NG-G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
T192B227J008AS | --- | Конденсаторы | --- |
|