BFP 183W E6327

BFP 183W E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFP 183W E6327
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon RF TRANSISTOR
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BFP 183W E6327
Конфигурация Single Dual Emitter Полярность транзистора NPN
Максимальная рабочая частота 8 GHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Непрерывный коллекторный ток 0.065 A Рассеяние мощности 450 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-343-4
Упаковка Reel Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1
Другие названия товара № BFP183WE6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAR90081LSE6327XT BAR90081LSE6327XT Infineon Technologies Регулируемые резистивные диоды Silicon Deep Trench Регулируемые резистивные диоды ---
SL23EP09ZC-1T SL23EP09ZC-1T Silicon Labs Тактовый буфер 10-220MHz 9 Out ZDB 3.3V-2.5V 6106199.pdf
MAX1515ETG+ MAX1515ETG+ --- Схемы управления питанием ---
LSG T77K-JL-1-0+HK-1-0-2- LSG T77K-JL-1-0+HK-1-0-2- --- Светодиодная индикация ---
CP0603D0902AWTR CP0603D0902AWTR --- Формирование сигнала ---