NE856M03-A

NE856M03-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE856M03-A
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Lo-Noise Hi-Gain
Производитель: CEL
Спецификация: 5324452.pdf5324480.pdf
Детальное описание компонента NE856M03-A
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Максимальная рабочая частота 4 GHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Рассеяние мощности 0.125 W Упаковка / блок M03
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 145 Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS90CF366MTDX DS90CF366MTDX National Semiconductor (TI) ИС интерфейса LVDS 4848235.pdf
74ALVC16374MTD_Q 74ALVC16374MTD_Q Fairchild Semiconductor Триггеры 16-Bit D-Type Flip-F ---
CAT25C03RI-1.8 CAT25C03RI-1.8 --- Микросхемы памяти ---
ASMT-MYB6-NKM00 ASMT-MYB6-NKM00 --- Светодиоды высокой мощности ---
641106-4 641106-4 --- Прямоугольные разъемы ---