NE85630-A

NE85630-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE85630-A
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN High Frequency
Производитель: CEL
Спецификация: 5323096.pdf5323097.pdf
Детальное описание компонента NE85630-A
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A Рассеяние мощности 0.150 W
Упаковка / блок SOT-323 Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 40
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250 Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 4.5 GHz
Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2N4401_D27ZS00Z 2N4401_D27ZS00Z Fairchild Semiconductor Усилители мощности 1793984.pdf
MC10ELT25DTR2 MC10ELT25DTR2 ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения -5V Diff ECL to TTL ---
LMX2541SQX2690E/NOPB LMX2541SQX2690E/NOPB --- RF Semiconductors ---
TLP3220(TP15,F) TLP3220(TP15,F) --- Оптопары и оптроны ---
1802111 1802111 --- Панельные измерительные приборы ---