MMBTH10RG

MMBTH10RG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MMBTH10RG
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN RF Transistor
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 5310907.pdf
Детальное описание компонента MMBTH10RG
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Максимальная рабочая частота 450 MHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V Непрерывный коллекторный ток 0.045 A
Рассеяние мощности 225 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 50 Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 120
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 3000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IRG7IC28U-110P IRG7IC28U-110P International Rectifier Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9307674.pdf
BTA212X-800B,127 BTA212X-800B,127 NXP Semiconductors Триаки RAIL TRIAC 217769.pdf
FM24C32ULZM8X FM24C32ULZM8X --- Микросхемы памяти ---
HDSM-441C HDSM-441C --- Светодиодные дисплеи ---
T12Y0101MAB25 T12Y0101MAB25 --- Конденсаторы ---