BFR 193 E6327

BFR 193 E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFR 193 E6327
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BFR 193 E6327
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Максимальная рабочая частота 8000 MHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V Непрерывный коллекторный ток 0.08 A
Рассеяние мощности 580 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 70 Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1
Другие названия товара № BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1, BFR193E6327XT SP000011056,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXGX55N120A3D1 IXGX55N120A3D1 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT ---
SN74AHC174DR SN74AHC174DR Texas Instruments Триггеры Hex D-Type Flip-Flop With Clear 6621464.pdf
SN75119DG4 SN75119DG4 --- Логические микросхемы ---
165X511309X 165X511309X --- Субминиатюрные соединители ---
51750-095LF 51750-095LF --- Прямоугольные разъемы ---