BFG410W,115

BFG410W,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFG410W,115
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала TAPE-7 TNS-RFSS
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5304595.pdf
Детальное описание компонента BFG410W,115
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Максимальная рабочая частота 22000 MHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1 V Непрерывный коллекторный ток 0.012 A
Рассеяние мощности 54 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-343 Упаковка Reel
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 50 Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 3000 Другие названия товара № BFG410W T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Capacitive Touch Development Kit w/ PCWH Capacitive Touch Development Kit w/ PCWH CCS Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC Full Development Kit with PCWH Compiler ---
FJNS3213RTA FJNS3213RTA Fairchild Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Si Transistor Epitaxial ---
M24LR16E-RDW6T/2 M24LR16E-RDW6T/2 --- Микросхемы памяти ---
MAX6440UTCIWD3+T MAX6440UTCIWD3+T --- Схемы управления питанием ---
MAX6439UTKRSD3-T MAX6439UTKRSD3-T --- Схемы управления питанием ---