BFG35,115

BFG35,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFG35,115
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN 10V 150mA 4GHZ
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5303528.pdf
Детальное описание компонента BFG35,115
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Максимальная рабочая частота 4000 MHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 18 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V Непрерывный коллекторный ток 0.15 A
Рассеяние мощности 1000 mW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-223 Упаковка Reel
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 25 Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 1000 Другие названия товара № BFG35 T/R

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1869S-100/T&R DS1869S-100/T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 5228458.pdf
NB2309AC1HD NB2309AC1HD --- RF Semiconductors ---
PS2501-4-A PS2501-4-A --- Оптопары и оптроны ---
L6747CTR L6747CTR --- Схемы управления питанием ---
F353210 F353210 --- Панельные измерительные приборы ---