BFU660F,115

BFU660F,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFU660F,115
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 21GHz
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5302819.pdf
Детальное описание компонента BFU660F,115
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 5.5 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток 30 mA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-343F
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 90
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 21 GHz Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ELB-1010SURD/S530-A3 ELB-1010SURD/S530-A3 Everlight Цифровые дисплейные ЖК-модули Light Bar Display ---
EVAL-KXTE9-1050 EVAL-KXTE9-1050 Kionix Инструменты разработки датчика ускорения Eval Board for KXTE9-1050 1228480.pdf
NB4N1158DTG NB4N1158DTG ON Semiconductor Интерфейс - специализированный 2.5 GBPS SER LNK REP ---
CD74HC10E CD74HC10E Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 3-Input 7947177.pdf7947185.pdf
DG408CUE DG408CUE --- Коммутационные микросхемы ---