BFU660F,115

BFU660F,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Посмотреть похожие
Название: BFU660F,115
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 21GHz
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5302819.pdf
Детальное описание компонента BFU660F,115
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 5.5 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток 30 mA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-343F
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 90
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 21 GHz Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3188EEUT-T MAX3188EEUT-T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 1Mbps 1uA RS-232 Transmitter 5561308.pdf
74AC11008NE4 74AC11008NE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Input Positive-AND Gates 8152609.pdf
TMS320SPVC5470GHK TMS320SPVC5470GHK Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Quad Bus Buffer Gate With 3-State Outputs ---
HDSP-G01E HDSP-G01E --- Светодиодные дисплеи ---
MAX767REAP-T MAX767REAP-T --- Схемы управления питанием ---