BFU660F,115

BFU660F,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFU660F,115
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 21GHz
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5302819.pdf
Детальное описание компонента BFU660F,115
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 5.5 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток 30 mA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-343F
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 90
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 21 GHz Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAV70DXV6T1 BAV70DXV6T1 ON Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 70V 200mA Dual ---
PEMH7,115 PEMH7,115 NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7 9502239.pdf
74VHC163MTCX 74VHC163MTCX Fairchild Semiconductor Регистры сдвига счетчика 4-Bit Binary Counter ---
5693S1;1;1 5693S1;1;1 --- Светодиодная индикация ---
MAX1876AEEG MAX1876AEEG --- Схемы управления питанием ---