BFU660F,115

BFU660F,115
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BFU660F,115
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 21GHz
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 5302819.pdf
Детальное описание компонента BFU660F,115
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 5.5 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток 30 mA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-343F
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 90
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 21 GHz Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TRF1112EVM TRF1112EVM Texas Instruments Радиочастотные средства разработки CHIPSET SOLUTION ---
PMR4RDW9.5-CC PMR4RDW9.5-CC --- Светодиодная индикация ---
28B1122-300 28B1122-300 --- ЭМП и РЧП ---
1685-18S 1685-18S --- Химикаты ---
48206-0104 48206-0104 --- Прямоугольные разъемы ---