BD649

BD649
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BD649
Описание: Transistors Darlington 62.5W NPN Silicon
Производитель: Bourns
Спецификация: 9476102.pdf
Детальное описание компонента BD649
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DC-SUP-GN-NET-CS DC-SUP-GN-NET-CS Digi International Средства разработки сетей Annual Support Plan f/ NET+Works GNU ---
MAX5153AEEE+ MAX5153AEEE+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 13-Bit 2Ch Precision DAC 1390670.pdf
74ACT18823MTDX 74ACT18823MTDX Fairchild Semiconductor Триггеры 18-Bit D Flip-Flop ---
SN74AUP1G04DRLR SN74AUP1G04DRLR Texas Instruments Инвертеры Lo Pwr Sngl Invrtr Gate 5184636.pdf
dsPIC30F1010-30I/MM dsPIC30F1010-30I/MM Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 6KB 256bytes-RAM 30MIPS 21I/O 6002292.pdf