BD649

BD649
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BD649
Описание: Transistors Darlington 62.5W NPN Silicon
Производитель: Bourns
Спецификация: 9476102.pdf
Детальное описание компонента BD649
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FS35R12YT3 FS35R12YT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A ---
5.30109.0200756 5.30109.0200756 C&K Components Держатели ламп и принадлежности Led Base For Signal- Indicators ---
552-6011-200F 552-6011-200F --- Светодиодная индикация ---
MAX9696ETG+T MAX9696ETG+T --- Схемы управления питанием ---
CD74HC7046AEE4 CD74HC7046AEE4 --- RF Semiconductors ---