MJD112

MJD112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TDA1519CSP/N3C,118 TDA1519CSP/N3C,118 NXP Semiconductors Усилители звука 2X11 W/1X22W AUDIO 5657041.pdf
EM1126-48-2# EM1126-48-2# --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
345-130-542-204 345-130-542-204 --- Прямоугольные разъемы ---
B8049NL B8049NL --- Трансформаторы сигналов ---
1027 1027 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---