MJD112

MJD112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9943AUA+ MAX9943AUA+ Maxim Integrated Products Прецизионные усилители Precision Op Amp 1802873.pdf
ZR40402R41STOB ZR40402R41STOB --- Схемы управления питанием ---
333-Y5C1-ATWB-X-MS 333-Y5C1-ATWB-X-MS --- Светодиодная индикация ---
HLMP-EG08-YZ0DD HLMP-EG08-YZ0DD --- Светодиодная индикация ---
SB-6500-3300-2C SB-6500-3300-2C --- Гибкие осветительные полосы ---