MJD112

MJD112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
WI.M868X-DP-R WI.M868X-DP-R Linx Technologies Радиочастотные модули Embedded Radio Mod 868-870 MHZ 2179401.pdf
NB7L11MMNG NB7L11MMNG ON Semiconductor Тактовый буфер 2.5V/3.3V Multilevel 1:2 Clock / Fanout ---
MAX6369KA+T MAX6369KA+T Maxim Integrated Products Таймеры и сопутствующая продукция Pin-Selectable Watchdog Timer 6816416.pdf
SSF-LXH240USBSUGD SSF-LXH240USBSUGD --- Светодиодная индикация ---
1DU60R 1DU60R --- Автоматические выключатели ---