BD648

BD648
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BD648
Описание: Transistors Darlington 62.5W PNP Silicon
Производитель: Bourns
Спецификация: 9475708.pdf
Детальное описание компонента BD648
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NLV14081BDR2G NLV14081BDR2G ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-INPUT AND GATE ---
74AC11032DRE4 74AC11032DRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Input Positive-OR Gates 8308529.pdf
MAX2171ETL/V+ MAX2171ETL/V+ --- RF Semiconductors ---
8D2-10LD 8D2-10LD --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
XBDAWT-02-0000-000000E50 XBDAWT-02-0000-000000E50 --- Светодиоды высокой мощности ---