MJD112-001

MJD112-001
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112-001
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112-001
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EFG13E EFG13E Crydom Дискретные полупроводниковые модули MOD DIO 125A 380VAC 4479105.pdf
TF256TH-5-TL-H TF256TH-5-TL-H ON Semiconductor JFET HIGH POWER SWITCHING ---
DAC8550IBDGKTG4 DAC8550IBDGKTG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16B Ultralow Glitch Vltg Output DAC 1902892.pdf
TMS320C6747CZKBT3 TMS320C6747CZKBT3 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Fix/Floating-Pt DSP 6004646.pdf
SSA-LXB162G5Y4I7W SSA-LXB162G5Y4I7W --- Светодиодная индикация ---