MJD127

MJD127
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD127
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD127
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PTFA240451E V1 R250 PTFA240451E V1 R250 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 45 W 2420-2480 MHz ---
LM339ANSR LM339ANSR Texas Instruments ИС, компараторы Quad Differential Comparator 9472215.pdf
MC7806CT_Q MC7806CT_Q --- Схемы управления питанием ---
09T1002SPC3 09T1002SPC3 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
HLMP-AL63-UX0ZZ HLMP-AL63-UX0ZZ --- Светодиодная индикация ---