MJ11015

MJ11015
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11015
Описание: Transistors Darlington 30A 120V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11015
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TGF2022-12 TGF2022-12 TriQuint Semiconductor РЧ транзисторы на арсениде галлия DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) 5397576.pdf
FJNS3209RBU_Q FJNS3209RBU_Q Fairchild Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) NPN/40V/100mA/4.7K ---
NLAS3799BMNR2G NLAS3799BMNR2G --- Коммутационные микросхемы ---
MLCSWT-A1-0000-000XDV MLCSWT-A1-0000-000XDV --- Светодиоды высокой мощности ---
1996628-1 1996628-1 --- Цилиндрические разъемы ---