BDT61
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BDT61 | ||
| Описание: | Transistors Darlington 50W 4A NPN | ||
| Производитель: | Bourns | ||
| Спецификация: | 9472512.pdf | ||
| Детальное описание компонента BDT61 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 200 uA | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-220 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 750 | Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Размер фабричной упаковки | 50 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DB107-C-S-NT | Rectron | Мостовые выпрямители DIP,Bridge,NT DB-1,1A,1000V | 3009181.pdf |
|
|
 |
CAT5115RI-50 | Catalyst (ON Semiconductor) | ИС, цифровые потенциометры 50kOhm | 5250104.pdf |
|
|
|
|
CAT34WC02JI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AT24C08B-TSU-T | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MAX2309EGI | --- | RF Semiconductors | --- |
|