BDT61C

BDT61C
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BDT61C
Описание: Transistors Darlington 50W 4A NPN
Производитель: Bourns
Спецификация: 9472105.pdf
Детальное описание компонента BDT61C
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si4713-B30-GM Si4713-B30-GM --- RF Semiconductors ---
MLEAWT-A1-R250-0002A6 MLEAWT-A1-R250-0002A6 --- Светодиоды высокой мощности ---
B43457B4338M003 B43457B4338M003 --- Конденсаторы ---
FAD1-06020BBLW11 FAD1-06020BBLW11 --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---
EBD-03-H EBD-03-H --- Клеммные колодки ---