2N5306_Q

2N5306_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N5306_Q
Описание: Transistors Darlington NPN Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N5306_Q
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V Максимальный постоянный ток коллектора 1.2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 625 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92 Упаковка Bulk
Непрерывный коллекторный ток 1.2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20000
Минимальная рабочая температура - 55 C

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NRD24V1 NRD24V1 Nordic Semiconductor Радиочастотные модули HEADSET REFERENCE DESIGN ---
VS-VSKT250-16PBF VS-VSKT250-16PBF Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 250 Amp 1600 Volt 550 Amp IT(RMS) ---
2P25U3/4 2P25U3/4 --- Автоматические выключатели ---
M8437GBF M8437GBF --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---
CMR04C5R0DODM CMR04C5R0DODM --- Конденсаторы ---