2N5306_Q

2N5306_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N5306_Q
Описание: Transistors Darlington NPN Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N5306_Q
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V Максимальный постоянный ток коллектора 1.2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 625 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92 Упаковка Bulk
Непрерывный коллекторный ток 1.2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20000
Минимальная рабочая температура - 55 C

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MLO230-16io7 MLO230-16io7 Ixys Дискретные полупроводниковые модули 230 Amps 1600V ---
CLVC257AQPWRG4Q1 CLVC257AQPWRG4Q1 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Auto Cat Quad 2 To 1-Line Data Sel/Mux 3037704.pdf
MPC860DPCVR50D4 MPC860DPCVR50D4 --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
SST39VF400A-70-4I-EK SST39VF400A-70-4I-EK --- Микросхемы памяти ---
L17HTHES4R4C L17HTHES4R4C --- Субминиатюрные соединители ---