2N5306_Q

2N5306_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N5306_Q
Описание: Transistors Darlington NPN Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N5306_Q
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V Максимальный постоянный ток коллектора 1.2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 625 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92 Упаковка Bulk
Непрерывный коллекторный ток 1.2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20000
Минимальная рабочая температура - 55 C

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DRV1101U/2K5 DRV1101U/2K5 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Hi-Pwr Differential Line Driver 1196292.pdf
FLP2FR9.0-SUR FLP2FR9.0-SUR --- Светодиодная индикация ---
SSL-LX3054LYD SSL-LX3054LYD --- Светодиодная индикация ---
UWP1C220MCR1GB UWP1C220MCR1GB --- Конденсаторы ---
3005-15S 3005-15S --- Химикаты ---