2N5306_Q

2N5306_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N5306_Q
Описание: Transistors Darlington NPN Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N5306_Q
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V Максимальный постоянный ток коллектора 1.2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 625 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92 Упаковка Bulk
Непрерывный коллекторный ток 1.2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20000
Минимальная рабочая температура - 55 C

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
6754264-6 6754264-6 TE Connectivity Волоконно-оптические соединители KIT FC SM 2.4 125.5 BP ---
PTB20053 PTB20053 --- RF Semiconductors ---
MA68390GBN MA68390GBN --- Конденсаторы ---
M135-1-0-24-1 M135-1-0-24-1 --- Панельные измерительные приборы ---
DC21WA4S700M30LF DC21WA4S700M30LF --- Субминиатюрные соединители ---