BDT60C

BDT60C
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BDT60C
Описание: Transistors Darlington 50W 4A PNP
Производитель: Bourns
Спецификация: 9471369.pdf
Детальное описание компонента BDT60C
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BSM15GD120DN2 BSM15GD120DN2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE ---
T810-600G T810-600G STMicroelectronics Триаки 8A TRIACS 248258.pdf
74LVT08PW 74LVT08PW NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-IN AND GATE 9481949.pdf
3186EC103T075APA1 3186EC103T075APA1 --- Конденсаторы ---
74LVT16500DGGRE4 74LVT16500DGGRE4 --- Логические микросхемы ---