2N6426_D26Z_Q
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N6426_D26Z_Q | ||
| Описание: | Transistors Darlington NPN Transistor Darlington | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N6426_D26Z_Q | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 1.2 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 0.05 uA | Рассеяние мощности | 625 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92 | Упаковка | Reel |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.2 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ABDG-SE-DP107 | Quatech | Модули WiFi / 802.11 DS 1Port RS-232 (DB- 9) to 802.11b/g | 2240449.pdf |
|
|
 |
FMG1G400US60L | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | --- |
|
|
 |
RN1313(TE85L,F) | Toshiba | Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 47Kohms | 9510395.pdf |
|
|
|
|
XRT3588CP-F | Exar | Периферийные ИС и компоненты (PCI) | 5046330.pdf |
|
|
|
|
1700/60100SF | --- | Плоский кабель | --- |
|