BDT60B

BDT60B
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BDT60B
Описание: Transistors Darlington 50W 4A PNP
Производитель: Bourns
Спецификация: 9470299.pdf
Детальное описание компонента BDT60B
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS100BR410EVK-2/NOPB DS100BR410EVK-2/NOPB National Semiconductor (TI) Прочие средства разработки DS100BR410EVK-2 EVAL BOARD 9724086.pdf
MRF5S21100HR3 MRF5S21100HR3 Freescale Semiconductor РЧ транзисторы, МОП-структура HV5 LDMOS WCDMA NI780H ---
TLV5624CDRG4 TLV5624CDRG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 1.0-3.5us DAC Serial Out 4092960.pdf
586-6402-206 586-6402-206 Dialight LED Источники света, не содержащие нитей накаливания Green Cluster 120 VAC ---
LNX2G102MSEF LNX2G102MSEF --- Конденсаторы ---