BDT60B

BDT60B
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BDT60B
Описание: Transistors Darlington 50W 4A PNP
Производитель: Bourns
Спецификация: 9470299.pdf
Детальное описание компонента BDT60B
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STGB20NC60VT4 STGB20NC60VT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT 9319134.pdf
DTD113ZUT106 DTD113ZUT106 ROHM Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) NPN 50V 500MA 9518651.pdf
MAX6442KACJWD7+T MAX6442KACJWD7+T --- Схемы управления питанием ---
MV5400MP2 MV5400MP2 --- Светодиодная индикация ---
ADNS-5700-H3MB ADNS-5700-H3MB --- Оптические детекторы и датчики ---