MMBT6427_Q

MMBT6427_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MMBT6427_Q
Описание: Transistors Darlington NPN Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MMBT6427_Q
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V Максимальный постоянный ток коллектора 1.2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.05 uA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 0.2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 10000
Минимальная рабочая температура - 55 C

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TD200F10KFC TD200F10KFC Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1000V 410A ---
SCAN921025HSM/NOPB SCAN921025HSM/NOPB National Semiconductor (TI) ИС интерфейса LVDS High Tem 20MHz-80 MHz 10B Serializer 7756281.pdf
BUK209-50Y BUK209-50Y --- Коммутационные микросхемы ---
MTGEZW-01-0000-0B00H035F MTGEZW-01-0000-0B00H035F --- Светодиоды высокой мощности ---
VTP210SUDF VTP210SUDF --- Самовосстанавливающиеся предохранители ---