MJD122

MJD122
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PT5112L PT5112L Texas Instruments Модули управления питанием 8Vout 1A Wide Inpt Pos Step-Down ISR 9025399.pdf
Wi.232DTSB-R Wi.232DTSB-R Linx Technologies Радиочастотные модули 232DTSB-R MODULE Anatel Certified 2167158.pdf
ANT-916-WRT-SMA ANT-916-WRT-SMA Linx Technologies Антенны 916MHz Compact Ant. SMA Connector 258292.pdf258293.pdf
Z0107MNT1G Z0107MNT1G ON Semiconductor Триаки SENSITIVE GATE TRIAC ---
CD74HC4538M96 CD74HC4538M96 Texas Instruments Ждущий мультивибратор Hi-Spd CMOS Dual Retrig Precision 3597436.pdf