MJD122

MJD122
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IRKT142/16PBF IRKT142/16PBF Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 1600 Volt 140 Amp ---
NE02133-T1B-R3-A NE02133-T1B-R3-A CEL РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon AMP Oscilltr Transist 5381691.pdf
MAX1651CPA MAX1651CPA --- Схемы управления питанием ---
MAX1717BEEG MAX1717BEEG --- Схемы управления питанием ---
MAX8536EUA MAX8536EUA --- Схемы управления питанием ---