MJD122

MJD122
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TISP2260F3DR-S TISP2260F3DR-S Bourns Сидаки PROTECTOR - DUAL BIDIRECTIONAL 177737.pdf
MMT05B350T3 MMT05B350T3 ON Semiconductor Сидаки 50A Surge 350V ---
SN65LVDS104PW SN65LVDS104PW Texas Instruments Синхронизаторы и распределители тактового сигнала LVDS Clock 6206478.pdf6206488.pdf
CAT8900B300TBGT3 CAT8900B300TBGT3 --- Схемы управления питанием ---
S-80960CLPF-G7WTFG S-80960CLPF-G7WTFG --- Схемы управления питанием ---